技術(shù)文章
Technical articles快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長(zhǎng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開(kāi)展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對(duì)國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。本文針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對(duì)快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國(guó)內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過(guò)深入的分析研究,設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...
熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測(cè)溫范圍廣,堅(jiān)固耐用,無(wú)自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對(duì)被測(cè)物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...
掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對(duì)單一,難以實(shí)現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實(shí)驗(yàn)及檢測(cè)功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實(shí)驗(yàn)中,若采用單一探針模式,在完成磨損實(shí)驗(yàn)后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對(duì)表面磨損區(qū)域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀測(cè)。然而,在更換針尖的過(guò)程中,微觀磨損...
針對(duì)光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽(yáng)極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計(jì)中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時(shí)避免了靶裝置在預(yù)先清洗時(shí)的污染;設(shè)計(jì)了靶裝置的驅(qū)動(dòng)端,完成了電機(jī)、傳動(dòng)裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計(jì)等離子體源來(lái)改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問(wèn)題。選擇0.2mm鎢絲...
集成電路自動(dòng)化裝備-探針臺(tái)是晶圓測(cè)試領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。由于晶圓片上晶粒很小,達(dá)到微米級(jí),所以要求探針臺(tái)要保持很高的定位精度和運(yùn)動(dòng)精度才能保證探針與晶粒的準(zhǔn)確對(duì)針和測(cè)試。因此,本文主要研究的問(wèn)題是如何保證探針臺(tái)高精密控制,從而達(dá)到微米級(jí)定位要求。本文來(lái)自于國(guó)家02專項(xiàng)-面向12”晶圓片的全自動(dòng)探針臺(tái)關(guān)鍵技術(shù)研究。首先,本文介紹了探針臺(tái)兩大部分-LOADER和PROBER的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)流程；其次,本文重點(diǎn)對(duì)預(yù)對(duì)位、Z軸升降、XY平臺(tái)三個(gè)關(guān)鍵部件的精準(zhǔn)控制進(jìn)行研究,分析影響控制精度...
紅外熱成像技術(shù)由于自身各種優(yōu)勢(shì)在軍事領(lǐng)域和民用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,因此備受各國(guó)重視,競(jìng)相發(fā)展相關(guān)技術(shù)。由于國(guó)外對(duì)紅外熱成像技術(shù)的研究比較早,而我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域起步較晚,所以差距很大。近年來(lái)我國(guó)在紅外熱成像技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域取得了一些進(jìn)展,但很多方面還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于世界水平。因此,還需要加快紅外熱成像技術(shù)的研究。本課題以加快紅外熱成像技術(shù)的研究進(jìn)度、減小研究周期、提升研究效率,降低研究及生產(chǎn)成本為目標(biāo),以紅外熱成像系統(tǒng)的核心部分非制冷紅外焦平面為基礎(chǔ),研究紅外焦平面封裝前...
Q1:什么是PVD?真空電鍍加工真空鍍膜技術(shù)A1:PVD是英文PhysicalVaporDeposition的縮寫(xiě)，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術(shù)。鄭州科探儀器設(shè)備有限公司新研發(fā)一款小型蒸鍍儀KT-Z1650DM是一款小型臺(tái)式加熱功率可控蒸發(fā)鍍膜儀，儀器雖小功能齊全，配備有電壓電流反饋,樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)，樣品高度調(diào)節(jié)，及電動(dòng)擋板功能。通過(guò)定時(shí)調(diào)節(jié)預(yù)熱功率及蒸發(fā)功率，可對(duì)大部分金屬進(jìn)行均勻蒸發(fā)沉積，真空腔室為透明石英玻璃...
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